Workshops 2026 in Berlin
1. Sustainable Plasma Technologies
17. November 08:30 bis 18:00
Anmeldeformular und Preisinformation
Duales Training 2026 in Dresden
1. Plasmaprozesse in der Mikro- und Nanoelektronik – Theorie
Bei Fraunhofer IPMS
Anmeldeformular und Preisinformation
Inhalt:
Plasma Physics Fundamentals
- Boundless Plasma
- Plasma Sheath
- DC Discharge
- RF Discharge
- CCP - Capacitively Coupled Plasma
- ICP/TCP - Inductively Coupled Plasma
- ECR - Electron Cyclotron Resonance
- NLD - Neutral Loop Discharge
- Remote and Pulsed Plasmas
- RF Power in Plasma
- Plasma Process Control in the Fab
- Plasma Diagnostics
Plasma Etch Process
- Generation of Active Species
- Diffusion, Absorption and Desorption
- Etch Mechanisms
- Physical Etching
- Chemical Etching
- Pattern Transfer
- Loading Effects
- Aspect Ratio Dependent Etch
Plasma Enhanced CVD
- Generation of Radicals and Ions
- Dissociation of HMDSO, TEOS and SiH4
- Chemical Vapour Deposition of Thin Layers
- Gap Fill: Deposition with High-density Plasma
- Chamber Conditioning and Cleaning
Plasma Assisted PVD
- Sputter Deposition: Al, Ti, Ta
- Magnetron Types
- Collimated Metal
- Salicide
Wir bieten im Rahmen des dualen Trainings ausschließlich den theoretischen Ausbildungsteil an. Der praktische Ausbildungsteil wird durch das Fraunhofer IPMS durchgeführt. Weitere Informationen zum dualen Training sowie zur Anmeldung beim Fraunhofer IPMS finden Sie hier.
Plasma School for Semiconductor Manufacturing 2026 in Berlin
1. Radio Frequency Technology for Plasma Applications and Electrostatic Chuck
Voraussichtlich in 2027
Inhalt:
Radio Frequency Technology for Plasma Applications
- AC Fundamentals
- RF Fundamentals
- Coaxial Cables and Connectors
- Waves and Reflections
- Matching Principles and Types
- Capacitively Coupled System
- Inductive Power Coupling
- RF Equipment Model
- Real-time RF Supervision
- Health and Safety
Electrostatic Chuck
- Principle of Electrostatic Clamping
- Bipolar ESC
- Monopolar ESC
- Usage in Real Processes
- Heat Flow in Thin Gases and Cooling Fluids
- Operation and Control
- High-resistivity Wafers
2. Plasma Physics Fundamentals and Process Technology
Voraussichtlich in 2027
Inhalt:
Plasma Physics Fundamentals
- Boundless Plasma
- Plasma Sheath
- DC Discharge
- RF Discharge
- CCP - Capacitively Coupled Plasma
- ICP/TCP - Inductively Coupled Plasma
- ECR - Electron Cyclotron Resonance
- NLD - Neutral Loop Discharge
- Remote and Pulsed Plasmas
- Plasma Process Control in the Fab
- Plasma Diagnostics
Plasma Process Fundamentals
- From Theory to Practice
- Physical Mechanisms Involved in Plasma Processing
- Sputtering and Plasma Etching
- Loading and High Aspect Ratio
- Plasma Etching: Common Applications for Microelectronics/Opto/MEMS
- Technologies for Ultra Thin Films and Well-defined Etch Rates
Plasma Process Control
- Introduction and Context
- Data Quality
- What Do We Need to Control a Plasma Process?
- Equipment Characterization
- FDC Applied to Plasma Processes
- Process Modeling
- Control Parameters and Process Capability
2.1. Plasma Physics Fundamentals and Process Technology (Short Version)
01. Oktober 09:00 bis 02. Oktober 17:00
Anmeldeformular und Preisinformation
Inhalt:
Plasma Physics Fundamentals
- Boundless Plasma
- Plasma Sheath
- DC Discharge
- RF Discharge
- CCP - Capacitively Coupled Plasma
- ICP/TCP - Inductively Coupled Plasma
- Remote and Pulsed Plasmas
- Plasma Process Control in the Fab
- Plasma Diagnostics
Plasma Process Fundamentals
- Basics of Vacuum Physics and Thermodynamics
- Physical Mechanisms Involved in Plasma Processing
- Sputtering and Plasma Etching
- Loading and High Aspect Ratio
- Plasma Etching: Common Applications for Microelectronics/Opto/MEMS
- Technologies for Ultra Thin Films and Well-defined Etch Rates
3. Process Equipment
13. Oktober 09:00 bis 14. Oktober 12:00
Anmeldeformular und Preisinformation
Inhalt:
Plasma Etch
- The Plasma Etch Process
- Capacitively Coupled Plasma (RIE)
- MERIE Reactors
- Dual Frequency Reactors
- Inductively Coupled Plasma (ICP/TCP)
- Comparison of Chamber Types
- Alternative Technologies
Sputtering, Nitridation and Implantation
- Sputter Etch
- Sputter Deposition
- Nitridation: Overview
- Plasma Immersion Ion Implantation
PECVD
- PECVD - Classical
- PECVD HDP
- PE-ALD - Atomic Layer Deposition
Voraussetzung:
Die Schulung „Plasma Physics Fundamentals and Process Technology“ ist dringend erforderlich, um die Inhalte dieser Schulung vollständig zu verstehen.
4. Process and Equipment Interaction
14. Oktober 13:00 bis 15. Oktober 15:00
Anmeldeformular und Preisinformation
Inhalt:
Arcing and Charging
- Plasma Arcs and Arcing
- Chamber Insulation Breakdown (Arcing)
- Breakdown in Process Chambers
- Wafer Damaging
Conditioning
- MTBC and CoO
- Gas Temperature
- Secondary Electron Emission
- Impact of Chamber Wall
- Gas Flow Distribution in Chamber
- Wet Clean, Dry Clean and Conditioning
Chamber Matching
- Motivation and RF Equipment Model
- Cable Faults (Shock Sets, Contacts, Connectors)
- Inductive Coupling
- Electrode System
- Phase Angle between Coil and Electrode
Voraussetzung:
Die Schulung „Plasma Physics Fundamentals and Process Technology“ ist dringend erforderlich, um die Inhalte dieser Schulung vollständig zu verstehen.
5. Deep Reactive Ion Etching
Voraussichtlich in 2027
Inhalt:
- Deep Reactive Ion Etching: Fields of Application
- Main Approaches for Deep Silicon Etch
- Dynamics in Process Control Systems
- Answering the Challenges of Bosch Process
- Bosch Process Detailed
- Continuous Etch Process
- Dicing Process
- Dry Clean
- Commercially Available Tools
Voraussetzung:
Die Schulung „Plasma Physics Fundamentals and Process Technology“ ist dringend erforderlich, um die Inhalte dieser Schulung vollständig zu verstehen.
6. Plasma Technology for III-V Semiconductors
10. November 09:00 bis 11. November 16:00
Anmeldeformular und Preisinformation
Inhalt:
- Motivation
- Solid State Physics Fundamentals
- Compound Semiconductor Devices
- Thermodynamic and Chemical Properties of III-V Semiconductors
- Plasma Etching: Chemistry, Selectivity, Profiles, Roughness and Damages
- Surface Cleaning, Surface Treatment and Dielectric Deposition
- Most Critical Processes for Each Application
- Commercially Available Tools
Voraussetzung:
Die Schulung „Plasma Physics Fundamentals and Process Technology“ ist dringend erforderlich, um die Inhalte dieser Schulung vollständig zu verstehen.
6. Plasma Technology for III-V Semiconductors
10th November 09:00 to 11th November 16:00
Registration form and price information
Contetnts:
- Motivation
- Solid State Physics Fundamentals
- Compound Semiconductor Devices
- Thermodynamic and Chemical Properties of III-V Semiconductors
- Plasma Etching: Chemistry, Selectivity, Profiles, Roughness and Damages
- Surface Cleaning, Surface Treatment and Dielectric Deposition
- Most Critical Processes for Each Application
- Commercially Available Tools
Prerequisites:
The course "Plasma Physics Fundamentals and Process Technology" is strongly recommendend in order to fully understand the content of this course.
Alle Kurse werden in deutscher Sprache gehalten, die Handbücher sind in Englisch.
Folgende Leistungen sind eingeschlossen:
Umfassende Seminarunterlagen im Farbdruck, gebunden, in Englisch, persönliches Zertifikat, Speisen und Getreänke (Kaffeepause Vor- und Nachmittags, Mittagessen).
RegistrierungDie Teilnehmer werden gebeten, das Anmeldeformular vier Wochen vor dem Seminarbeginn zurückzusenden. Wir behalten uns eine Stornierung einzelner Anmeldungen vor, da die Teilnehmerzahl pro Seminar im Sinne einer qualitativ hochwertigen Schulung beschränkt ist und darüber hinaus gemäß den zum Schulungstermin geltenden rechtlichen Bestimmungen weiter beschränkt sein kann. Sollte die Mindestteilnehmerzahl von 5 nicht erreicht werden, behalten wir uns die Streichung des Kurses vor. Zusammen mit der Anmeldung erhalten Sie Skizze für die Anreise.Umfassende
Seminarunterlagen im Farbdruck, gebunden, in Englisch, persönliches
Zertifikat, Speisen und Getreänke (Kaffeepause Vor- und Nachmittags,
Mittagessen).